| 发明名称 |
STRUCTURE DE TERMINAISON, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION |
| 摘要 |
L'invention concerne une structure de terminaison.<BR/>Elle se rapporte à une structure de terminaison comprenant une couche d'un matériau isolant de champ (110), une couche de silicium polycristallin (32) ayant des ouvertures, des premières et des secondes régions diffusées dans des régions de surface du substrat de silicium, une couche isolante de recouvrement (OBT), et une couche conductrice déposée sur la couche isolante de recouvrement (OBT) et dans des ouvertures de la couche isolante de recouvrement (OBT), et au moins une électrode qui est au contact de la plaque de champ (32a)et au moins une électrode au contact des zones sous-jacentes des régions de surface du substrat de silicium.<BR/>Application aux dispositifs à semiconducteur à grille MOS.
|
| 申请公布号 |
FR2739976(A1) |
申请公布日期 |
1997.04.18 |
| 申请号 |
FR19960012435 |
申请日期 |
1996.10.11 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
KINZER DANIEL M;WAGERS KENNETH |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/765;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/417;(IPC1-7):H01L21/334;H01L21/328;H01L29/68 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
