| 摘要 |
<p>Bei einem Verfahren zum Erzeugen einer Grabenisolation in einem SOI-Substrat wird auf einer Vorderseite einer ein SOI-Substrat umfassenden Schichtfolge (100) eine erste Oxidschicht (112) abgeschieden, die nachfolgend strukturiert wird, um eine Maske für eine nachfolgende Grabenerzeugung zu definieren. Anschließend wird ein Graben (114) unter Verwendung der Maske bis zu einer isolierenden Schicht (104), falls ein SOI-Substrat verwendet wird, oder mit einer vorbestimmten Tiefe in das Substrat geätzt und mit einem Oxid (116) ausgefüllt. Auf den oxidgefüllten Graben (114) und auf die erste Oxidschicht wird eine Polysiliziumschicht (124) abgeschieden und anschließend derart entfernt, daß auf dem oxidgefüllten Graben (114) eine Polysiliziumabdeckung zurückbleibt. Abschließend wird die erste Oxidschicht (112) entfernt.</p> |
