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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines planarisierten Halbleiterbauelementes
摘要
申请公布号 DE69218069(D1) 申请公布日期 1997.04.17
申请号 DE19926018069 申请日期 1992.08.20
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TAKESHIRO, SHINICHI, C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU, TOKYO 108-01, JP
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/3205;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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