CIRCUITO PARA PROTEGER LA TENSION DE ALIMENTACION DE UN CIRCUITO CMOS INTEGRADO.

摘要

EN UN CIRCUITO PARA LA PROTECCION DE LA TENSION DE ALIMENTACION EN UN CIRCUITO DE APLICACION INTEGRADO CMOS, SE FABRICA UN TRANSISTOR BIPOLAR (BT) EN UN SUBSTRATO COMUN (S) CONJUNTAMENTE CON EL RESTO DE CIRCUITOS Y EL CIRCUITO DE APLICACION, DE TAL MODO, QUE EL COLECTOR (K), EL CUAL REPRESENTA A LA VEZ TAMBIEN EL PRIMER CONTACTO EN EL SUBSTRATO, SE ENCUENTRA A UNA DISTANCIA EN LA MAGNITUD DE 1,5 VECES LA PROFUNDIDAD DE LA ISLA (O), EN DONDE SE ENCUENTRA EL EMISOR (E) Y LA BASE (B). ENTRE EL COLECTOR (K) Y EL SEGUNDO CONTACTO EN EL SUBSTRATO (SK) MONTADO A UNA DISTANCIA LEJANA DE EL, SE ENCUENTRA LA ZONA PROHIBIDA (FIG.2), PARA AQUELLOS TIPOS DE TRANSISTORES, A LOS CUALES LES SON OPUESTOS EL TIPO DE CONDUCTIVIDAD DEL SUBSTRATO (S).