| 发明名称 |
CHARACTERISTICS EXPRESSING METHOD OF MOS TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR CIRCUIT CHARACTERISTICS ANALYZING METHOD, AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT CHARACTERISTICS ANALYZER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09102608(A) |
申请公布日期 |
1997.04.15 |
| 申请号 |
JP19960178796 |
申请日期 |
1996.07.09 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
SAWAI HISASUKE;AKINOU TOSHIROU |
| 分类号 |
H01L29/78;G06F17/50;H01L21/336;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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