发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号 JPH09102600(A) 申请公布日期 1997.04.15
申请号 JP19950260177 申请日期 1995.10.06
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 YOSHIDA NAOTO;KUNII TETSUO
分类号 H01L29/812;H01L21/335;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/778 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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