发明名称 FIELD EFFECT TYPE TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
摘要
申请公布号 JPH09102509(A) 申请公布日期 1997.04.15
申请号 JP19960143919 申请日期 1996.06.06
申请人 MATSUSHITA ELECTRON CORP 发明人 OTA TOSHIMICHI;INOUE KAORU;TANABE MITSURU
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;(IPC1-7):H01L21/338 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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