半导体离子注入设备之法拉第筒组件

摘要

当连续的将离子注入于一晶圆时，为了避免在操作过程中所释放出之不纯物形成一内壁绝缘膜，进而，可避免因为此绝缘膜之带电而产生之微放电及因此而导致之晶圆污染，本发明系关于一种半导体离子注入设备之法拉第筒组件，其系装设在一嵌合于一晶圆上之圆盘旁边，以便进行一离子注入，其中，该法拉第筒组件之一内壁由一具导电性之薄膜所覆盖，或者，嵌入于该法拉第筒组件内壁上之预定尺寸之放电端头。故，此离子注入过程可以平顺的进行，此晶圆之污染及损坏将可被避免，使得产量增加。另外，对于离子注入装置之伤害也被避免，如此，以便有效的提将该设备之耐久性及可靠性。

主权项

1. 一种半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其系装设在一嵌合于一晶圆上之圆盘旁边,以便进行一离子注入,其中,该法拉第筒组件之一内壁被一具导电性之薄膜所覆盖,以便避免在该离子注入此内壁时产生之不纯物所导致之一绝缘层之形成。2. 依申请专利范围第1项所述之半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其中,该具导电性之薄膜系在一周期性之交替状态下,不断的附着在该内壁或脱离该内壁,以避免由该绝缘膜所导致之充电现象。3. 依申请专利范围第1项所述之半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其中,该具导电性之薄膜系只在该内壁之一部份形成。4. 依申请专利范围第1.2或3项所述之半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其中,该具导电性之薄膜系以铝为主要物质而构成。5. 一种半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其系装设在一嵌合于一晶圆上之圆盘旁边,以便达到执行一离子注入,其中,具有一预定尺寸之放电端头,其系嵌合于该法拉第筒组件中之内壁中。6. 依申请专利范围第5项所述之半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其中,该内壁上系形成一贯穿孔,该端头系嵌合于该贯穿孔内。7. 依申请专利范围第5项所述之半导体离子注入设备之法拉第筒组件,其中,该端头系以紧配合之方式装于该贯穿孔中。图示简单说明:第1图系一显示传统的半导体离子注入设备之法拉第筒组件;第2图系显示本发明之半导体离子注入设备之法拉第筒组件之一实施例;及第3图系显示本发明之半导体离子注入设备之法拉第筒组