| 主权项 |
1. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征在于,包含(a) 准备复数之半导体晶片和含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成封闭前述复数之半导体晶片之复数模制模槽之第2模具,前述第1模具和第2模具之至少一方的前述模制模槽内面之至少一部分,具有令至少一部分之气体成分通过的通气孔多质孔材料所成通气部,于前述通气孔内以所定深度埋入,连通于前述通气孔,阻止前述模制树脂浸入的同时,至少通过一部分气体成分,防止气泡产生,形成较前述通气孔小口径之连通孔的微细多孔体过滤(过滤层)部之模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于前述两模具封闭之状态下,将前述模制树脂注入前述模制模槽内,将前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 开启前述两模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。2. 如申请专利范围第1项之半导体积体电路之制造方法中,其中,于前述模制模槽内注入模制树脂之时,将前述模制模槽内之气体介由前述多孔质材料部分,经由排气手段加以排出者。3. 如申请专利范围第2项之半导体积体电路之制造方法,其中,上述工程(e)系介由前述模制模槽之前述多孔质材料部分,于前述模制模槽内注入气体加以进行者。4. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征系,包含(a) 准备复数之半导体晶片,含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成封闭前述复数之半导体晶片之复数模制模槽之第2模具,前述复数之模制模槽之各内面的几近全部,则以所定之深度阻止前述模制树脂之浸入的同时,于令至少一部分之气体成分通过,防止气泡产生之多质孔材料所成模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 前述两模具封闭之状态下,将前述模制树脂注入前述模制模槽内,将前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。5. 如申请专利范围第4项之半导体积体电路之制造方法,其中,于开启前述第1模具及第2模具时,介由前述多孔质材料部分,由外部至前述模制模槽内注入气体者。6. 如申请专利范围第5项之半导体积体电路之制造方法,其中,于前述模制模槽内注入前述模制树脂时,将前述模制模槽内之气体介由前述多孔质材料部分,经由排气手段加以排出者。7. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征系,包含(a) 准备复数之半导体晶片,和含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成封闭前述复数之半导体晶片之复数模制模槽之第2模具,对前述复数之模制模槽之至少一方内面之闸之相反侧部分之一部分,则以所定之深度阻止前述模制树脂之浸入的同时,于令至少一部分之气体成分通过,防止气泡产生之多质孔材料所成模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 前述两模具封闭之状态下,将前述模制树脂注入前述模制模槽内,将前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。8. 如申请专利范围第7项之半导体积体电路之制造方法,其中,将前述多孔质材料部分仅设于前述第1模具和第2模具之任一方者。9. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征系在于,包含(a) 准备复数之半导体晶片,和含有设于此等之半导晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具和将封闭前述复数半导体晶片之模制模槽、收容树脂片之1个或以上之供给口部,连结此等之1个或以上之流道部者与前述第1模具同时形成之第2模具,前述供给口部内面、或前述流道部内面的至少一部分,则以所定之深度阻止前述模制树脂之浸入的同时,于令至少一部分之气体成分通过,防止气泡产生之多质孔材料所成模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 由前述供给口部透过前述流道部,将前述模制树脂注入前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。10. 如申请专利范围第9项之半导体积体电路之制造方法,其中,将前述模制模槽及流道部之各内面之至少一部分则以所定之深度,阻止前述模制树脂之浸入的同时,至少通过一部分气体,经由防止产生气泡之多孔质材料所成者。11. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征系在于,包含(a) 准备复数之半导体晶片,和含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有经由上模具和,封闭前述复数之半导体晶片之复数之模制模槽、对应所定数之模制模槽加以设置,收容各树脂片之复数供给口部,及连结其等之复数流道部与前述上模具同时形成的下模具,前述模制模槽,前述供给口部或前述流道部的内面至少一部分则以所定之深度,阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,防止气泡产生之多孔质材料所成之模制装置的前述上模具及下模具间,于设于前述下模具之前述供给口部树脂片插入部,插入树脂片之工程,(c) 于开启之前述上下两模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(d) 于前述上下两模具之间,于载置前述晶片导线复合体之状态,封闭两模具之工程,(e) 由前述供给口部透过前述流道部,将前述模制树脂注入前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程。(f) 经由开启前述上下两模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述上模具及下模具之至少任一方脱模之工程者。12. 如申请专利范围第11项之半导体积体电路之制造方法,其中,前述模制模具之内面多孔质部分,系以所定深度埋入,阻止前述模制树脂之浸入的同时,具有通过至少一部分气体成分,较防止气泡产生之前述多孔质形成小口径细孔之微细多孔体过滤部者。13. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程之薄型树脂封止半导体积体电路装置之制造方法中,其特征系在包含(a) 准备复数之半导体晶片和含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具和经由此模具形成封闭前述复数半导体晶片之复数模制模槽之第2模具,前述第1模具和前述第2模具至少一方之前述模制模槽内面的模具本体之至少一部分,则以所定之深度阻止前述模制树脂之浸入的同时,于令至少一部分之气体成分通过,防止气泡产生之多质孔材料所成模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于经由封闭之两模具所形成之模制模槽内,注入前述模制树脂,令前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 由前述模制模槽之前述多孔质部分,于前述模制模槽内注入气体地,经由开启前述第1模具及第2模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。14. 如申请专利范围第13项之半导体积体电路之制造方法,其中,前述模制模具之内面多孔质部分,系以所定深度埋入,阻止前述模制树脂之浸入的同时,具有通过至少一部分气体成分,较防止气泡产生之前述多孔质形成小口径细孔之微细孔体过滤部者。15. 一种模制装置,令半导体晶片经由封止用树脂加以封闭之模制装置,其特征系具有第1模具和形成对前述第1模具相对开闭自如地设置,经由前述第1模具,对应前述包装形状之模制模槽的第2模具,将前述第1模具和第2模具之至少一方,具备由多孔质材料所成具通气孔的通气部之模具本体,和于前述通气孔内,由模制模槽之内面以所定深度埋入,阻止较前述通气孔内径为小之模制树脂浸入的同时,形成容许一部分气体成份之通过的连通孔之微细多孔体所形成,将前述模制模槽内之气体成分,介由前述连通孔排出于外部者。16. 如申请专利范围第15项之模制装置,其中,于形成前述模制模槽之微细多孔体的表面,形成涂布层者。17. 一种半导体积体电路装置之制造方法,其特征系将为传递模制之模具本体之模制模槽之内面的至少一部分,于所定深度,于深度方向部分地具有多孔质或封闭树脂不侵入程度之多数细孔者。18. 一种半导体积体电路装置之制造方法,其特征系在于,将为传递模制之多供给口型模具之模制模槽之内面的至少一部分,具有多孔质或封闭树脂不侵入程度之多数细孔者。19. 如申请专利范围第18项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述模制模具之内面多孔质部分,系以所定深度埋入,阻止前述模制树脂之浸入的同时,具有通过至少一部分气体成分,较防止气泡产生之前述多孔质形成小口径细孔之微细孔体过滤部者。20. 一种半导体积体电路装置之制造方法,其特征系在于,将为传递模制之模具之模制模槽以外的供给口至闸的封闭树脂流动的部分之内面的至少一部分,具有多孔质或封闭树脂不侵入程度之多数细孔者。21. 一种半导体积体电路装置之制造方法,针对具有令半导体晶片经由热固性模制树脂加以封止之工程之半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含(a) 准备复数之半导体晶片,和于设于此等半导体晶片之第1主面的电极,含有间接或直接电气连接之复数内导线部导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成为封止前述复数半导体晶片之复数模制模槽的第2模具,前述复数之模制模槽之各内面则具有阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,防止气泡产生之多孔质材料所成内壳部,和实质上未多孔质之模具材料所成模具外框所构成之模具对的模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 以封闭前述两模具之状态,令前述模制树脂注入于前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分,经由前述模制树脂加以封止之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,令封止终了之前述晶片导线复合体,自前述第1模具及第2模具之至少一方脱模之工程者。22. 一种半导体积体电路装置之制造方法,针对具有令半导体晶片经由热固性模制树脂加以封止之工程之半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含(a) 准备复数之半导体晶片,和于设于此等半导体晶片之第1主面的电极,含有间接或直接电气连接之复数内导线部导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成为封止前述复数半导体晶片之复数模制模槽的第2模具,对前述复数之模制模槽之内面之闸之反方向侧之部分则于深度方向部分地,阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,防止气泡产生之多孔质内壳所成模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 封闭前述两模具之状态下,令前述模制树脂注入于前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分,经由前述模制树脂加以封止之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,令封止终了之前述晶片导线复合体,自前述第1模具及第2模具之至少一方脱模之工程者。23. 一种半导体积体电路装置之制造方法,针对具有令半导体晶片经由热固性模制树脂加以封止之工程之半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含(a) 准备复数之半导体晶片,如于设于此等半导体晶片之第1主面的电极,含有间接或直接电气连接之复数内导线部导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成为封止前述复数半导体晶片之复数模制模槽的第2模具,包含对前述复数之模制模槽之至少一方内面之闸而言,反方向侧之模槽内面弯曲之侧面部部分则部分地,阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,防止气泡产生之多孔质材料所成模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 以封闭前述两模具之状态下,令前述模制树脂注入于前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分,经由前述模制树脂加以封止之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,令封止终了之前述晶片导线复合体,自前述第1模具及第2模具之至少一方脱模之工程者。24. 一种半导体积体电路装置之制造方法,针对具有令半导体晶片经由热固性模制树脂加以封止之工程之半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含(a) 准备复数之半导体晶片,和于设于此等半导体晶片之第1主面的电极,含有间接或直接电气连接之复数内导线部导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成为封止前述复数半导体晶片之复数模制模槽的第2模具,于具有前述第1模具和第2模具之至少一方之前述模制模槽内面的至少一部分,由具有令通过至少一部分之气体的通气孔多孔质材料所成通气部的内壳,和于前述通气孔内以所定深度埋入,连通于前述通气孔,阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,形成较防止气泡产生之前述通气孔为小水口径之连通孔之微细多孔体过滤部之模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于前述两模具封闭之状态下,令前述模制树脂注入于前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分,经由前述模制树脂加以封止之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,令封止终了之前述晶片导线复合体,自前述第1模具及第2模具之至少一方脱模之工程者。25. 如申请专利范围第24项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述通气部系由通过至少一部分气体成分之多孔质材料所成,前述微细多孔体过滤部系于前述通气部之多孔质细孔之模槽内面侧,以所定之深度导入微细粒子加以形成者。26. 一种半导体积体电路装置之制造方法,针对具有令半导体晶片经由热固性模制树脂加以封止之工程之半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含(a) 准备复数之半导体晶片,和于设于此等半导体晶片之第1主面的电极,含有间接或直接电气连接之复数内导线部导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成为封止前述复数半导体晶片之复数模制模槽的第2模具,于具有前述第1模具和第2模具之至少一方之前述模制模槽内面的至少一部分,具有通过至少一部分之气体成分之通气孔之模具材料所成通气部,和被着于前述通气部模槽内面侧表面,连通于前述通气孔,阻止前述模制树脂之浸入的同时,通气至少一部分之气体成分,形成较防止气泡产生之前述通气孔为小水口径之连通孔之微细多孔体过滤部之模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于前述两模具封闭之状态下,令前述模制树脂注入于前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分,经由前述模制树脂加以封止之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,令封止终了之前述晶片导线复合体,自前述第1模具及第2模具之至少一方脱模之工程者。27. 如申请专利范围第26项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述微细多孔体过滤部系于前述通气部之多孔质细孔之模槽内面侧,被着微细多孔质层加以形成所形成者。28. 一种半导体积体电路装置之制造方法,针对具有令半导体晶片经由热固性模制树脂加以封止之工程之半导体积体电路装置之制造方法,其特征系包含(a) 准备复数之半导体晶片,和于设于此等半导体晶片之第1主面的电极,含有间接或直接电气连接之复数内导线部导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成为封止前述复数半导体晶片之复数模制模槽的第2模具,前述复数之模制模槽之各内面则具有阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,防止气泡产生之具有多数细孔材料所成内壳(模具内核)通气部,和实质上非多孔质材料所成模具外框所构成之模具对的模制装置之前述第1模具及第2模具间,载置前述晶片导线复合体之工程,(c) 于前述第1及第2模具间,于载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于前述两模具封闭之状态下,令前述模制树脂注入于前述模制模槽内,令前述晶片导线复合体之所定部分,经由前述模制树脂加以封止之工程,(e) 经由开启前述第1模具及第2模具,令封止终了之前述晶片导线复合体,自前述第1模具及第2模具之至少一方脱模之工程者。29. 如申请专利范围第27项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述通气部之内表面系具有阻止前述模制树脂之浸入的同时,通过至少一部分之气体成分,为防止气泡之产生,于前述通气部之细孔之模槽内面侧,以所定深度,经由导入微细粒子所形成之微细多孔体过滤(过滤层)部者。30. 如申请专利范围第29项之半导体积体电路装置之制造方法,其中,前述通气部之内表面之微细多孔体过滤部之细孔径系较前述通气部本体之细孔径为小者。31.一种半导体积体电路装置之制造方法,其特征系于传递模制时,模具之模制模槽内面和于被封闭晶片导线复合体间,介有具多孔质或封闭树脂不侵入程度之多数细孔之一对薄片,于其间注入上述封闭树脂者。32. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征系在于,包含(a) 准备复数之半导体晶片,和含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此形成封闭前述复数半导体晶片之复数模制模槽之第2模具,介由接触或接近前述第1模具和前述第2模具至少一方之前述模制模槽内面部分的至少一部分,阻止前述模制树脂之浸入的同时,于令至少一部分之气体成分通过,防止气泡产生之微细贯通孔的材料所成薄膜,将前述晶片导线复合体载置于模制装置之前述第1模具及第2模具间的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,介由前述薄膜,载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于经由封闭之两模具和前述薄膜所形成之前述模制模槽内,注入前述模制树脂,令前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 经由开启注入完成之前述两模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。33. 如申请专利范围第32项之半导体积体电路之制造方法,其中,前述薄膜系被覆前述晶片导线复合体之两侧主面的一对薄膜者。34. 如申请专利范围第32项或第33项之半导体积体电路之制造方法,其中,前述薄膜之前述微细贯通孔形成之部分被接触或接近之前述第1模具和第2模具之至少一方的前述模槽部分中,设有通气孔者。35. 如申请专利范围第32项或第33项之半导体积体电路之制造方法,其中,于前述第1模具和第2模具之至少一方的前述模槽内面的至少一部分,前述薄膜之前述微细贯通孔所形成之部分被接触或接近的部分,以所定之深度,阻止前述模制树脂浸入的同时,至少通过一部分的气体成分,防止气泡产生之多孔质材料所成者。36. 一种半导体积体电路之制造方法,具有将半导体晶片经由热硬化性模制树脂加以封闭的工程,其特征系在于,包含(a) 准备复数之半导体晶片,和含有设于此等之半导体晶片之第1主面的电极,间接或直接电气性连接之复数内导线部之导线框或薄膜配线薄片所成晶片导线复合体之工程,(b) 具有第1模具,和与此封闭前述复数半导体晶片之复数模制模槽,收容树脂片之1个或以上之筒部,及形成将此等连结1个或以上之流道部的第2模具,介由于前述筒部内面,前述流道部内面或接触或接近设于前述筒部内柱塞之内面部分的至少一部分中,阻止前述模制树脂之浸入的同时,于令至少一部分之气体成分通过,防止气泡产生之具微细贯通孔之材料所成薄膜,将前述晶片导线复合体载置于第1模具及第2模具间的工程,(c) 于前述第1及第2模具间,介由前述薄膜,载置前述晶片导线复合体之状态下,封闭两模具之工程,(d) 于经由封闭之两模具和前述薄膜所形成之前述模制模槽内,注入前述模制树脂,令前述晶片导线复合体之所定部分经由前述模制树脂加以封闭之工程,(e) 经由开启注入完成之前述两模具,将封闭完成之前述晶片导线复合体,由前述第1模具及第2模具之至少任一方脱模之工程者。37. 如申请专利范围第36项之半导体积体电路之制造方法,其中,前述薄膜系被覆前述晶片导线复合体之两侧主面的一对薄膜者。38. 如申请专利范围第36项或第37项之半导体积体电路之制造方法,其中,于前述薄膜之前述微细贯通孔形成之部分被接触或接近之前述筒部内面、前述流道部内面及设于前述筒部内之柱塞内面的前述一部份中,设有通气孔者。39. 如申请专利范围第36项或第37项之半导体积体电路之制造方法,其中,以前述筒部内面,前述流道部内面或前述筒部内设置之柱塞的至少一部分,前述薄膜之前述微细贯通孔所形成之部分被接触或接近的部分,以所定之深度,阻止前述模制树脂浸入的同时,至少通过一部分的气体成分,防止气泡产生之多孔质材料所成者。图示简单说明:图1系显示使用本发明之半导体积体电路装置的制造方法之封闭工程的传递模制装置斜视图。图2系显示图1之传递模制装置的要部的一部分切断扩大正面图。图3系显示图2所示上型单元和下型单元的型封闭状态之扩大截面图。图4系显示图2所示上型单元和下型单元的型开启状态之扩大截面图。图5系显示其他实施例之传递模制装置的上型单元和下型单元的扩大截面图。图6系显示使用本发明之半导体积体电路装置的制造方法之封闭工程的传递模制装置正面图。图7系显示图6之传递模制装置的要部的一部分切断扩大正面图。图8系图7所示之下模具的平面图。图9系显示图7所示之上模具和下模具的一部分的扩大截面图。图10系显示扩大图9所示之模具本体的一部分的截面图。图11系显示由模制装置取出,包装之成形终了之导线框的一部分的扩大平面图。图12系显示外导线之弯曲终了后之半导体积体电路装置的截面图。图13系显示半导体积体电路装置之制造手续工程图。图14系显示其他型式之传递模制装置对应图8之下模具的平面图。图15系显示图3及图4之变形例之传递模制装置之截面图。图16系显示图15之变形例之传递模制装置之截面图。图17系显示图16之变形例之传递模制装置之截面图。图18系显示其他型式之传递模制装置相对图9部分之截面图。图19系显示其他型式之传递模制装置相当图10部分之截面图。图20系显示另外其他型式之传递模制装置相当图19部分之截面图。图21系显示本发明之一实施例(实施例11)的传递模制装置的要部的模式图。图22系显示实施例11之传递模制装置的外观的斜视图。图23系显示实施例11之传递模制装置的成形部的一部分切断正面图。图24系显示实施例11之传递模制装置的模具的概略截面图。图25系显示实施例11之传递模制装置之模制时之模具概略截面图。图26系显示实施例11之传递模制装置之型开启状态之模具概略截面图。图27系显示本发明之其他实施例(实施例12)之模具概略截面图。图28系显示本发明之其他实施例(实施例13)之模具概略截面图。图29系显示本发明之其他实施例(实施例14)之传递模制装 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