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1. 一种半导体元件的电晶体,系包含:一层场氧化层,位在一面由矽层、绝绝层和SOI层堆叠组成的SOI晶圆的场区上;一层闸极氧化层,位在该SOI晶圆主动区选定的部位上;一个闸极,位在该闸极氧化层上;氧化物空间子,位在该闸极的两侧壁上;以及一层复晶矽层,位在该场氧化物层和该SOI层露出的部位上,而该复晶矽与其下的SOI层藉植入杂质离子形成了第一接面区域,且该氧化物空间子底下的SOI层藉植入杂质离子形成了第二接面区域。2.根据申请专利范围第1项之电晶体,其中该绝缘层系氧化物。3.根据申请专利范围第1项之电晶体,其中该SOI层厚约500至1500埃。4.根据申请专利范围第1项之电晶体,其中该闸极厚约3000至4000埃。5.根据申请专利范围第1项之电晶体,其中该复晶矽层并加以制定而露出部份的该场氧化层。6.根据申请专利范围第1项之电晶体,其中该第一接面区域是由植入高浓度之杂质离子而形成的。7.根据申请专利范围第1项之电晶体,其中该第二接面是由植入低浓度之杂质离子而形成的。8. 一种在半导体元件中制造电晶体的方法,其步骤系包含:在一面由矽层、绝缘层和SOI层所堆叠组成的SOI晶圆的场区上,形成一层场氧化层;在形成该场氧化层后所得的结构上,形成第一复晶矽层;制定该第一复晶矽层,露出部份的该SOI层;在制定该第一复晶矽层后所得的结构上,连续形成氧化层和第二复晶矽层;蚀去该第二复晶矽层和该氧化层上选定的部份,形成闸极;在该SOI层中形成LDD区域;在该闸极的两侧壁上形成氧化物空间子;并且在该第一复晶矽和底下之该SOI层内植入杂质离子。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该绝缘层系氧化物。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该SOI层厚约500至1500埃。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中该闸极厚约3000至4000埃。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中该第一复晶矽层制定后不仅露出部份的该SOI层,也露出部份的该场氧化层。图示简单说明:图1A和图1B的元件横剖面图,说明了在半导体元件中制造电晶体的传统方法。图2A至图2E的元件横剖面图,说明了本发明在半导体元件 |
