发明名称 一种使用于步进对准机之水平侦测方法及装置
摘要 本发明系揭露一种可量测晶圆上不同位置水平或元件中不同方位或倾斜角度之装置。此装置为针对传统之水平侦测器予以改良,在传统之水平侦测器(levelsensor)上加装一可做双向调整之电动式变焦镜头。此变焦镜头可在步进对准机进行视场区域循序式对准(field-by-field aligrinent)时,可提供可调整之视场大小以及景条。并且将用技艺中只可应用于具有固定大小元件之晶圆的视场区域循序式对准方式,扩展为可以应用在具有不同大小元件之晶圆上。
申请公布号 TW302434 申请公布日期 1997.04.11
申请号 TW085113976 申请日期 1996.11.14
申请人 世界先进积体电路股份有限公司 发明人 李浩典
分类号 G01C9/00 主分类号 G01C9/00
代理机构 代理人 陈惠蓉 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1. 一种晶圆水平侦测器装置,包含有:一步进式对准机;一上述步进式对准机使用之对准方式;一影像形成装置;一雷射量测系统;一变焦镜头;一改变上述变焦镜头焦距之装置。2. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该步进对准机包含一可移动之平台。3. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中该步进对准机所使之对准方式为游标尺(vernier)。4. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中影像形成装置包含一成像镜头,光栅及参考光学手板。5. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中电射量测系统系为一干涉条。6. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中变焦镜头可做双轴方向调整。7. 如申请专利范围第6项所述之装置,其中一个调整轴为变焦镜头之光轴。8. 如申请专利范围第6项所述之装置,其中另一个调整轴为垂直变焦镜头光轴方向之轴。9. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中改变镜头焦距之方法为电子式。10. 一种晶圆水平侦测方法,其步骤如下:将一晶圆置步迅机上;将所欲圆形成像于晶圆上;进行晶圆的对准;将所欲视场照明;提供一变焦镜头;调整上述变焦镜头;调整视场大小;对焦于上述视场;进行倾斜角度之量测;进行上述视场高度之量测。11. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中步进对准机具一配备有游标尺之平台。12. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中所述晶圆上具有对准键。13. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中所欲图像之形成装置为一投射镜头。14. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中晶圆之对准是利用对准键影像之合成。15. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中照明装置包含有一投射镜头。16. 如申请专利范围第15项所述之方法,其中照明光源为雷射光束。17. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中变焦镜头可进行二轴方向调整。18. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中改变镜头焦距之方法为电子式。19. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中视场之改变方法为在垂直变焦镜头光轴之方向横向调整雷射光束。20. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中对无之方法为将变焦镜头沿光轴方法调整。21. 如申请专利范围第10项所述之方法,其中倾斜角度之量测是藉由可双轴向调整之变焦镜头来完成。22.如申请专利范围第10项所述之方法,其中高度之量测是藉由前述对焦方法而完成。图示简单说明:图1a为传统技艺中,水平方向探针结构与待测斜面之空间配置图。图1b为图1a在y、z平面之投影图。图1c为图1a在探针结构未触及待测物件时在x、z平面之投影图。图2a为晶圆在使用本发明之水平侦测器装置对准时之平面图。图2b为在应用本发明时之一视场与所视之元件之关系图。图2c为本发明中装备有变焦镜头于水平侦测器上的雷射干量测系统。图3a为具有两不同高低表面之两区域之元件平面图。图3b为图3a之剖面示意图。图4a为本发明中经由变焦镜头投射雷射光束至图3a全区域之视场示意图。图4b为本发明中经由变焦镜头分别投射雷射光束至图3a之
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