积体电路之金属蚀刻的方法

摘要

在积体电路之自动对准接触窗制程(SAC)，由于接触窗之尺寸大于金属线之尺寸，因此，在进行金属蚀刻之过度蚀刻步骤(Over-Etch)及氟覆盖步骤(Fluorine Passivation)时复晶矽线条会被蚀刻而断线(Disconnecton)，但为了防止复晶矽线条断线而不使用氟覆盖步骤时，却容易造成金属线腐蚀并无法去除金属侧壁之高分子(SidewallPolymer）。本发明揭露了一种方法，在金属蚀刻之主要蚀刻步骤(Main-Etch)之后增加一个同步氧气电浆处理步骤(In-situ Oxygen Plasma Treatment) ，所述「同步氧气电浆处理步骤」能有效去除一部份的光阻和氯元素以达到防止金属腐蚀的目地。另一方面，所述「同步氧气电浆处理步骤」也改变了金属侧壁之高分子的特性，使得在后续化学溶剂中能轻易去除所述「侧壁高分子」，防止矽团(Silicon Nodule)陷在所述「高分子」内。

主权项

1. 一种金属蚀刻的方法,系包括:在半导体基板上(Semiconductor Substrate)形成金属(Metal);在所述「金属」表面形成光阻图案(PhotoresistPattern);以所述「光阻图案」作为蚀刻保护罩(Etch-ProtectionMask),利用电浆蚀刻技术在金属蚀刻反应室(MetalEtching Chamber)内进行金属蚀刻以蚀去被所述「光阻图案」覆盖区域以外之所述「金属」,所述「金属蚀刻」又分为「主要蚀刻步骤」和「过度蚀刻步骤」;施行一个同步氧气电浆处理步骤(In-situ Oxygen PlasmaTreatment)。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述「半导体基板」含有电晶体、电阻器、电感器、电容器和各种薄膜。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述「金属」是指铝合金(Aluminum Alloy)、钛(Ti)、钨(W)、氮化钛(TiN)和钨化钛(TiW)等金属。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中所述之「同步氧气电浆处理步骤」可以在同一个金属蚀刻反应室进行,也可以在不同的金属蚀刻反应室进行。图示简单说明:图一是金属蚀刻先前技艺之电浆过度蚀刻之制程剖面示意图。图二是金属蚀刻先前技艺之湿蚀刻之制程剖面示意图。