动态随机存取记忆体之电容器的制造方法

摘要

本发明揭露了一种动态随机存取记忆体之电容器介电层(Capactior Dielectric)的制造方法。在电容器之电荷储存电极(Storage Node)表面形成『氮化矽薄层』后，利用去离子水(DI Water)对氯化铵(NH4Cl)之水溶性的特性，在去离子水的环境中快速旋转矽半导体晶圆，以去除所述『氮化矽薄层』表面之氯化铵类质点粒子(NH4Cl-LikeParticles)，并同步在在『氮化矽薄层』表面产生充电现象(Charge-Up)，以对所述『氮化矽薄层』产生癒合效果，提高所述『氮化矽薄层』之品质，进而提高电容器和动态随机存取记忆体之品质。

主权项

1. 一种介电层(Dielectric)的制造方法,系包含下列步骤:在在半导体晶圆上形成介电层(Dielectric);形成第一复晶矽(First Polysilicon),并利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述第一复晶矽以形成第一复晶矽图案(First Polysilicon Pattern);形成「第一氮化矽」(First Silicon Nitride);在去离子水(DI Water)的环境中快速旋转所述半导体晶圆;氧化所述「第一氮化矽」。2. 一种动态随机存取记忆体(DRAM)之电容器介电层(Capacitor Dielectric)的制造方法,系包含下列步骤:在矽半导体晶圆上形成隔离金氧半场效电晶体所需要的场氧化层;形成金氧半场效电晶体(MOSFET),所述金氧半场效电晶体含有闸氧化层、闸极与源极/汲极;形成第一复晶矽(First Polysilicon),并利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述第一复晶矽以形成电容器的电荷储存电极(Storage Node);形成「第一氮化矽」(First Silicon Nitride);在去离子水(DI Water)的环境中快速旋转所述矽半导体晶圆;氧化所述「第一氮化矽」,以形成「氧化物」(Oxide);形成第二复晶矽(Second Polysilicon),利用微影技术与蚀刻技术蚀去所述第二复晶矽、第一氮化矽和氧化物以形成电容器的上电极板(Top Plate)。图示简单说明: