Flache Übergangsbildung mittels Ionen-Implantation,申请号DE19906030042-传众专利搜索

发明名称	Flache Übergangsbildung mittels Ionen-Implantation
摘要
申请公布号	DE69030042(D1)	申请公布日期	1997.04.10
申请号	DE19906030042	申请日期	1990.09.04
申请人	FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	KASE, MASATAKA, KAWASAKI-SHI, KANAGAWA 211, JP;KIMURA, MAMI, 505, HAIHOUMU TSURUMI, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA 230, JP;KIKUCHI, YOSHIO, YASHIO-SHI, SAITAMA 340, JP
分类号	H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
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