发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit Polysiliziumemitter
摘要
申请公布号 DE69124871(D1) 申请公布日期 1997.04.10
申请号 DE1991624871 申请日期 1991.08.08
申请人 AT&T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 BEAN, JOHN CONDON, NEW PROVIDENCE, NEW JERSEY 07974, US;HIGASHI, GREGG S., BASKING RIDGE, NEW JERSEY 07920, US;JALALI-FARAHANI, BAHRAM, SOUTH HEMPSTEAD, NEW YORK 11550, US;KING, CLIFFORD A., NEW YORK, NEW YORK 10003, US
分类号 H01L29/73;H01L21/225;H01L21/331;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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