| 发明名称 | 形成半导体器件精细图形的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件精细图形的方法，该方法包括下列步骤：准备晶片；氧化晶片的上表面，形成氧化膜；在已氧化的晶片上涂敷光致抗蚀剂；及使该光致抗蚀剂曝光和显影，形成光致抗蚀剂图形。该方法能防止在图形的底部发生底膜或钻蚀，从而使图形的宽度容易控制。因此，该方法有利于高集成度半导体器件及其高生产成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1147147A | 申请公布日期 | 1997.04.09 |
| 申请号 | CN96107007.2 | 申请日期 | 1996.06.26 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 卜喆圭 |
| 分类号 | H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件精细图形的方法，该方法包括以下步骤：为形成图形准备好晶片；氧化所说晶片的上表面，形成氧化膜；在已氧化的所说晶片上涂敷光致抗蚀剂；及使所说光致抗蚀剂曝光和显影，形成光致抗蚀剂图形。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||