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发明名称 Chemisches Dampfabscheidungsverfahren zur Schaffung einer vorherrschend TiSi¶x¶ enthaltenden, elektrisch leitfähigen Schicht
摘要
申请公布号 DE4237587(C2) 申请公布日期 1997.04.03
申请号 DE19924237587 申请日期 1992.11.06
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC., BOISE, ID., US 发明人 DOAN, TRUNG T., BOISE, ID., US;SANDHU, GURTEJ S., BOISE, ID., US
分类号 H01L21/205;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/285;C23C16/42 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
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