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<p>Der Leiterrahmen für integrierte Schaltungen weist einen metallischen Grundkörper mit einem mittig angeordneten, einstückigen Trägerelement (2), auf das ein Halbleiterchip (3) aufgesetzt wird, und eine Vielzahl von um das Trägerelement (2) herum angeordneten Leiterbahnen (6) auf. Die effektive Grundfläche des Trägerelementes (2) ist kleiner als die Grundfläche des aufzusetzenden Halbleiterchips. Dies wird durch in das Trägerelement (2) eingearbeitete Öffnungen (8) und/oder Aussparungen (9) erreicht, welche von dem aufzusetzenden Halbleiterchip (3) überdeckt werden. Mit einem solchen Leiterrahmen können die mechanischen Spannungen und die durch die unerwünschte Oxidation des Leiterrahmens häufig zu beobachtende Delamination vermieden werden.</p> |
