| 发明名称 | 制造半导体器件的晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造半导体器件的晶体管的方法。本发明涉及一种制造半导体器件的晶体管的方法，通过注入4价的杂质离子，在要形成源/漏区的硅衬底的部分中，形成非结晶硅层，可能抑制沟道作用现象，形成浅结，增加器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1146627A | 申请公布日期 | 1997.04.02 |
| 申请号 | CN96110002.8 | 申请日期 | 1996.05.09 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 朴莹泽;吴荣均;金义式 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王岳 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的晶体管的方法，包括下列步骤，在硅衬底上形成栅极；把杂质离子注入要形成源/漏区的衬底的一部分中，形成非晶硅层；进行LDD离子注入工艺；在所述的栅极侧壁上形成氧化膜隔离层，在包括所述的栅极和氧化膜隔离层的整个结构上进行源/漏杂质注入；进行热处理工艺，形成LDD结构的结区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||