Semiconductor device and method of fabrication

摘要

Halbleiterbauelement, insbesondere eine Lumineszenzdiode, dessen Halbleiterkörper (1) eine Mesastruktur aufweist. Die gewölbte Seitenfläche (9) ist benachbart der Vorderseite (2) des Halbleiterkörpers (12) konkav und benachbart der Rückseite (3) konvex. Durch diese Formgebung ist der externe Quantenwirkungsgrad der erfindungsgemäßen Lumineszenzdiode deutlich erhöht. Bei einem vorteilhaften Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementen wird eine Mesaätzung erst nach dem Vereinzeln einer Halbleiterscheibe 10 in einzelne Chips durchgeführt. <IMAGE>