发明名称 |
Circuit arrangement for controlling a power enhancement MOSFET |
摘要 |
Leistungs-MOSFETs (1) mit sourceseitiger Last (5) werden häufig mit sogenannten Ladungspumpen angesteuert. Zum beschleunigten Abschalten wird bisher die Gate-Sourcekapazität des regelmäßig als Enhancement-MOSFET ausgebildeten Leistungs-MOSFET (1) über einen parallel zur Gate-Sourcestrecke liegenden Depletion-MOSFET entladen. Diese unterschiedlichen MOSFET-Typen erfordern eine aufwendige Herstellungstechnologie. Es wird eine Schaltungsanordnung vorgeschlagen, die den ausschließlichen Einsatz von Enhancement-MOSFETs erlaubt. <IMAGE>
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申请公布号 |
EP0766394(A2) |
申请公布日期 |
1997.04.02 |
申请号 |
EP19960113013 |
申请日期 |
1996.08.13 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
JENOE, TIHANYI, DR. ING. |
分类号 |
H03K17/0412;H03K17/06;H03K17/687;(IPC1-7):H03K17/041 |
主分类号 |
H03K17/0412 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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