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Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Biaspotentials mit einem kollektorseitig an ein Versorgungspotential (1) angeschlossenen ersten Transistor (2), einem zwischen Basis und Kollektor des Transistors (2) geschalteten ersten Widerstand (3), einer zwischen die Basis des ersten Transistors (2) und ein Bezugspotential (4) geschalteten ersten Stromquelle (5), einer zwischen den Emitter des ersten Transistors (2) und das Bezugspotential (4) geschalteten zweiten Stromquelle (6), einem kollektorseitig an das Versorgungspotential (1) und basisseitig an den Emitter des ersten Transistors (2) angeschlossenen zweiten Transistor (7), einer zwischen den Emitter des zweiten Transistors (7) und das Bezugspotential (4) geschalteten dritten Stromquelle (8), einem kollektorseitig das Biaspotential führenden dritten Transistor (9), einem zwischen den Emitter des zweiten Transistors (7) und die Basis des dritten Transistors (9) geschalteten zweiten Widerstand (10), einem zwischen den Kollektor des dritten Transistors (9) und das Versorgungspotential (1) geschalteten dritten Widerstand (11), einer zwischen die Basis des dritten Transistors (9) und das Bezugspotential (4) geschalteten ersten Diode (12) in Durchlaßrichtung und einem zwischen den Emitter des dritten Transistors (9) und das Bezugspotential geschalteten vierten Widerstand (13), wobei der vierte Widerstand (13) den halben Widerstandswert des zweiten oder dritten Widerstands (10, 11), die untereinander gleich groß sind, aufweist und zweite und dritte Stromquelle einen vom Kollektorstrom des dritten Transistors (9) abhängigen Strom liefern. <IMAGE>
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