| 主权项 |
1. 一种蚀刻沈积于开口中之氧化物的方法,其使用氮化物层作为蚀刻停止,该氮化物覆盖位于较低之蚀刻敏感材料之上的角落,其包含步骤有:沈积氮化物蚀刻停止层于蚀刻敏感材料之上,氮化物蚀刻停止层是由于一材料之添加而化学计量地形成的氮化物,该材料引入对于氧化物之改良的蚀刻选择度;在氧化物之上形成一个开口图样;及蚀刻穿过氧化物,停止于氮化物蚀刻停止层上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中化学计量地添加至该氮化物的该材料是矽。3. 根据申请专利范围第2项之方法,其中该矽具有43.1至65原子百分比的浓度范围。4. 根据申请专利范围第2项之方法,其中该浓度范围是50至60原子百分比。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中化学计量地添加至该氮化物的该材料是一种相对于SiO@ss2具有低蚀刻速率的材料。6. 根据申请专利范围第5项之方法,其中化学计量地添加至该氮化物的该材料是Al@ss2O@ss3。7. 根据申请专利范围第5项之方法,其中化学计量地添加至该氮化物的该材料是Y@ss2O@ss3。图示简单说明:图1是无边界接点结构在高选择度氧化物:氮化物蚀刻制程和隔绝层剥除之后的横断面;图2是添加所提出之改变膜之如图1中之无边界接点结构的横断面;图3是具有变化之矽原子百分比之富含矽氮化物薄样品的电容—电压曲线图形;及图4是具有变化之矽原子百分比之富含矽氮化物薄样品的 |
