| 主权项 |
1. 一种高电压MOS电晶体,包含:一个第一导电型的半导体基质;一双第二导电型的第一扩散层,系形成在上述半导体基质上;一双第二导电型的第二扩散层,系分别形成在上述之一双第一扩散层内,且其浓度比上述之一双第一扩散层的浓度高;及一个闸极区,系设在上述之一双第一扩散层之间而彼此相向排列,并且包含一个闸极氧化膜和一个闸极电极;其中,介于上述之一双第一扩散层之间的间距,在上述半导体基质深层区内者比在上述半导体基质表面者小。2. 一种高电压MOS电晶体,包含:一个第一导电型的半导体基质;一双第二导电型的第一扩散层,系形成在上述半导体基质上面;一双第二导电型的第二扩散层,系分别被形成在上述之一双第一扩散层内,且其浓度比上述之一双第一扩散层的浓度高;一个闸极区,系设在上述之一双第一扩散层之间而彼此相向排列,并且包含一个闸极氧化膜和一个闸极电极;及一层第一导电型的第三扩散层,系形成在上述半导体基质深层区内,且接触上述之一双第一扩散层,及其浓度比上述半导体基质的浓度低。3. 一种高电压MOS电晶体之制造方法,包含下列步骤:在第一导电型的半导体基质上形成一双第二导电型的第一扩散层;当另外扩散上述之一双第一扩散层时,在上述之一双第一扩散层之上扩散一种第一导电型的杂质到上述的半导体基质的整个表面上,其浓度比上述之一双第一扩散层的浓度低;在围绕上述之一双第一扩散层的场区内形成一层氧化膜;跨越上述之一双第一扩散层形成一个闸极电极;分别在上述之一双第一扩散层内形成一双第二导电型且具有高浓度的第二扩散层;及形成一个中间绝缘层,接着制作一条接线以建立导电触接。4. 一种高电压MOS电晶体之制造方法,包含下列步骤:在第一导电型的半导体基质上形成一双第二导电型的扩散层;在上述半导体基质的整个表面上形成一层第一导电型的磊晶层,然后扩散上述之一双第一扩散层;在围绕上述之一双第一扩散层的场区内形成一层氧化膜;跨越上述之一双第一扩散层形成一个闸极电极;各别在上述之一双第一扩散层内形成一双第二导电型且具有高浓度的第二扩散层;及形成一个中间绝缘层,接着制作一条接线以建立导电触接。5. 一种高电压MOS电晶体之制造方法,包含下列步骤:在第一导电型的半导体基质上形成一双第二导电型的第一扩散层;在上述半导体基质深层区内形成一个第二导电型且具有预选杂质浓度的杂质区,涵盖整个上述深层区,上述杂质区系接触上述之一双第一扩散层;进一步扩散上述之一双第一扩散层,并且在上述半导体基质深层区内形成一层第一导电型的第三扩散层,上述第三扩散层的浓度比上述半导体基质的浓度低,并且接触上述第一扩散层;在围绕上述之一双第一扩散层的场区内形成一层氧化膜;各别在上述之一双第一扩散层内形成一双第二导电型且具有高浓度的第二扩散层;及形成一个中间绝缘层,接着制作一条接线以建立导电触接。图示简单说明:图一A至一E 为切面图,显示制作本发明之一个高电压MOS电晶体的一系列步骤;图二 为示意切面图,显示图一A至一E之实施例;图三 为示意平面图,亦显示图一A至一E之实施例;图四 为比较图一A至一E之实施例和一个习知的偏置闸极MOS电晶体的抗崩溃量曲线图;图五A至五E 为切面图,显示制作一习知的偏置闸极MOS电晶体的一系列步骤;图六 为图五E中电晶体的示意切面图;图七 为图五中电晶体的示意平面图;图八A至八C 为切面图,显示制作本发明之一个变化实施例的一系列步骤;图九A至九C 为切面图,显示制作本发明另一变化实施例的一系列步骤;图十 为切面图,显示一个习知用在5V的MOS电晶体;图十一 为视图,显示图十中电晶体的一个电位分布;图十二 为图十中电晶体的平视图;及图十三 为切面图,显示一块特定的晶片,其内部含一 |
