| 发明名称 |
HIGHLY RESISTANCE LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH0982644(A) |
申请公布日期 |
1997.03.28 |
| 申请号 |
JP19950238033 |
申请日期 |
1995.09.18 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
OKAMOTO NAOYA;ANDO HIDEYASU |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/203;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/203 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
