Verfahren zum Herstellen elektrischer Kontakte an Gatestrukturen auf integrierten Schaltungen,申请号DE19916022992T-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zum Herstellen elektrischer Kontakte an Gatestrukturen auf integrierten Schaltungen
摘要
申请公布号	DE69122992(T2)	申请公布日期	1997.03.27
申请号	DE19916022992T	申请日期	1991.06.20
申请人	AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US	发明人	CHEN, MIN-LIANG, ALLENTOWN, PENNSYLVANIA 18106, US
分类号	H01L21/28;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/311	主分类号	H01L21/28
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