| 摘要 |
<p>Verfahren zum Erzeugen einer sehr kleinen Strukturweite auf einem Halbleitersubstrat (1; 10) durch Erzeugen einer Mikrostruktur (8; 70) als Ergebnis einer isotropen Ätzung einer über eine Kante abgeschiedenen ersten Schicht (6) und Entfernen der die Kante bildenden Struktur (7; 60), wobei die Weite der Mikrostruktur (8; 70) etwa gleich der Dicke der abgeschiedenen ersten Schicht ist. Danach wird eine darunter liegende Polysiliziumschicht (5; 50) selektiv oxidiert. Die kleine Strukturweite kann der Querschnitt durch den Kanal einer Flash-Speicherzelle sein.</p> |
