制造具有精细接触孔的半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种形成半导体器件接触孔的方法，其包括下列步骤：设置一衬底，在所述衬底上形成第一绝缘层，通过腐蚀所述第一绝缘层的一部分，形成接触孔开孔，以便露出所述衬底的一部分；在所获得的结构上形成非均匀厚度的第二绝缘层，其中，淀积在接触孔侧壁上所述第二绝缘层的厚度薄于所述第一绝缘层上面的第二绝缘层的厚度；对所述第二绝缘层进行各向异性腐蚀，直到露出所述衬底的一部分，结果，在所述开孔侧壁上形成绝缘的隔离层。

主权项

1、一种制造半导体器件接触孔的方法，包括下列步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成一第一绝缘层；通过腐蚀所述第一绝缘层的一部分，形成接触孔的开孔，暴露出所述衬底的一部分；在所获得的结构上，形成一具有非均匀厚度的第二绝缘层，其中淀积在所述接触孔侧壁和底部上的所述第二绝缘层的厚度薄于在所述第一绝缘层上面的第二绝缘层的厚度；对所述的第二绝缘层进行各向异性的腐蚀，直到露出所述衬底的一部分，结果，在所述开孔的侧壁上形成绝缘隔离层。