| 主权项 |
1. 一种离子注入装置具备有:产生离子射束的离子源、及质量分离从该离子源所放出的离子射束之质量分离器、及以该质量分离器将被质量分离的特定离子离子注入在基板的射束照射室等的离子注入装置,其特征为:在前述离子源与质量分离器之间设置离子射束能量的减速器,同时将前述离子源与减速器之间的射束输送空间维持在负的高电压。2. 如申请专利范围第1项之离子注入装置,其中前述减速器以被电压加入的复数个电极而被构成。3. 如申请专利范围第1项之离子注入装置,其中被电压加入的复数个电极当中,至少有一枚的电极电压比前述离子源与减速器之间的射束输送空间电位还低的电压。4. 如申请专利范围第1.2或3项之离子注入装置,其中在前述离子源与减速器之间,设置调整离子射束的断面之透镜。5. 如申请专利范围第4项之离子注入装置,其中前述透镜是利用磁场的透镜而被构成。6. 如申请专利范围第1.2或3项之离子注入装置,其中前述基板为半导体晶圆,被注入的离子为硼、磷、或是砷离子的任何一种,并且该能量为不足10keV。图示简单说明:第1图系表示本创作离子注入装置的一实施例之构成图。第2图系表示过去例离子注入装置之构成图。第3图系表示采用本创作离子注入装置之减速器的一实施例断面图。第4图系表示采用本创作离子注入装置之减速器的其他实施例断面图。第5图系表示根据过去例及本创作之实施例在射束照射室 |
