| 主权项 |
1. 一种制备金属绝缘半导体(MIS)太阳能电池之绝缘层的方法,包括步骤如下:(a) 以标准清洗过程清洗矽晶片;以及(b) 以液相沈积法于该矽晶片上成长绝缘层。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该液相沈积法系使用过饱和矽氟酸(H@ss2SiF@ss6)溶液。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘层之成长温度系于20℃至100℃的范围内。4. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘层之厚度系由成长时间及成长温度所控制。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘层之厚度在20埃(@fc(1.frch)8)至250埃(@fc(1.frch)8)之间。6. 根据申请专利范围第2项之方法,其中该过饱和矽氟酸(H@ss2SiF@ss6)溶液中可加入硼酸(H@ss3BO@ss3)以加快沈积速率。7. 一种根据申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之方法制备绝缘层之金属绝缘半导体太阳能电池,其特征更包括:藉由罩幕在成长完绝缘层之该矽晶片正面上印出太阳能电池的阴极和阳极,及该太阳能电池在该矽晶片上的各种串、并联形式。8. 根据申请专利范围第7项之太阳能电池,其中该阴极和阳极的材料可为金属或透明电极。图示简单说明:图1显示了依本发明之实施例的制作流程图。图2a,2b分别显示一依本发明之中心圆式的太阳能电池之顶视图及截面图。图3显示一依本发明之交复线集光式太阳能电池之阴极罩幕。图4显示一与图3之阴极罩幕相配合之阳极罩幕。图5显示一依本发明之中心圆式太阳能电池之电流对电压之关系。图6a,6b,6c,及6d分别显示一依本发明之中心圆式太阳能电池的短路电流,开路电压,填充系数,及最大输出功率的平均値对不同氧化层(绝缘层)厚度的关系图。图7显示一依本发明之交复线集光式太阳能电池之电流对 |
