Method of manufacturing a contact hole

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktlochherstellung bei MOS-Schaltkreisen in SOI-Technik mit einer Oxidschicht und einer darüber liegenden Siliziumschicht, bei dem auf einer zunächst relativ dicken Siliziumschicht mit einer ersten Maske erhöhte Kontaktlochbereiche erzeugt werden und mit einer zweiten Maske eine LOCOS-Isolation durchgeführt wird, die ausschließlich in dem im ersten Verfahrensschritt gedünnten Bereich erfolgt. <IMAGE>