发明名称 |
电路装置及适用于该电路装置的结型场效应晶体管 |
摘要 |
本发明涉及用于如放电灯较大功率的一种电路装置。利用半导体电流限制器部件保护电路装置,耐大电流,特别是由启动影响或瞬变影响引起的大电流。电流限制器部件包括具有如n型的给定导电类型的半导体基片(5)。在半导体基片的上下表面设置主电极,还包括用高掺杂接触区(8、9)连接半导体基片的金属电极(10、11)。如此设置插入区的掺杂(浓度),使得当主电极之间电压升到某一电压时,则电流达到饱和。在第1实施例中,在插入区形成埋入的浮置P-型区(12),使元件成为具有浮栅的结型场效应晶体管。在第2实施例中选择中间层(21)的厚度和/或掺杂浓度,则由于速度饱和而限制电流。上述电流限制器部件非常适用于具有放电灯的系统,因为它耐高电压,高耗散,能在两方向通过电流,此外能用简单方法进行制造,所以它非常便宜。 |
申请公布号 |
CN1145138A |
申请公布日期 |
1997.03.12 |
申请号 |
CN95192377.3 |
申请日期 |
1995.11.16 |
申请人 |
菲利浦电子有限公司 |
发明人 |
A·W·卢迪库伊策 |
分类号 |
H01L23/62;H01L29/06;H01L29/772 |
主分类号 |
H01L23/62 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
董巍;傅康 |
主权项 |
1.一种利用电源电压运作负载的电路装置,设有输入端,用于连接电压源的两极;电路部件V,用于限制因加电源电压在运作期间流过输入端的输入电流,该电路部件包括具有两主电极的半导体元件,该电极连接电路装置的接点,使输入电流通过两主电极,其特征是,半导体元件包含以后称为第1导电类型的某一导电类型的半导体基片,在相对的两个表面设置主电极,每个电极包括与相应表面相连的区,具有比邻接半导体基片部分高的掺杂浓度,半导体基片位于较高掺杂区之间,如此选择其掺杂,使得当主电极之间的电压大于给定电压时,电流达到饱和。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |