| 发明名称 |
Method of forming a gallium arsenide transistor by diffusion |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3352725(A) |
申请公布日期 |
1967.11.14 |
| 申请号 |
US19650467361 |
申请日期 |
1965.06.28 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
ANTELL GEORGE RICHARD |
| 分类号 |
H01L21/22;H01L21/223;H01L29/00;H01L29/207 |
主分类号 |
H01L21/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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