Verfahren zur Bestimmung der Eindringtiefe von Diffusionsschichten in einem Halbleiterkristall homogener Grunddotierung,申请号DE1962T022310-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Bestimmung der Eindringtiefe von Diffusionsschichten in einem Halbleiterkristall homogener Grunddotierung
摘要
申请公布号	DE1254382(B)	申请公布日期	1967.11.16
申请号	DE1962T022310	申请日期	1962.06.16
申请人	TELEFUNKEN PATENTVERWERTUNGSGESELLSCHAFT M.B.H.	发明人	WEIMANN DIPL.-ING. KLAUS;SCERBA DIPL.-CHEM. LOTHAR
分类号	G01N13/00;H01L21/00	主分类号	G01N13/00
代理机构		代理人
主权项
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