| 摘要 |
<P>Le dispositif de l'invention présente une tension de blocage élevée, une faible perte, et une faible tension de seuil. Un substrat (1) de semi-conducteur en carbure de silicium n**+, un substrat (2) de semi-conducteur en carbure de silicium n**-, et une couche (3) de semi-conducteur en carbure de silicium p sont laminées l'une sur l'autre. Une région de source n**+ (6) est formée dans une zone donnée de la surface dans la couche (3), et une tranchée (9) est réalisée en s'étendant à travers la région (6) et la couche (3) jusque dans la couche (2). Une fine couche de semi-conducteur (n ou p) (11a) s'étend sur la surface de la région (6), la couche (3), et la couche (2) dans la face latérale de la tranchée (9). Une couche d'électrode de grille (13) est disposée à travers une couche d'isolation de grille (12) dans la tranchée (9). Une couche d'électrode de source (15) est prévue sur la surface de la couche (3) et de la région (6), et une couche d'électrode de drain (16) est fournie sur la surface du substrat (1). L'application d'une tension à la couche (13) se traduit par la formation d'un canal (de type accumulation ou du type inversion) dans la couche (11a) pour contrôler la continuité entre source et drain. Une régulation indépendante de la concentration en impuretés et de l'épaisseur des couches (11a) et (3) permet de porter la couche (3) à une concentration élevée et d'avoir une résistance élevée à la tension et d'abaisser la concentration en impuretés de la couche (11a) afin d'atteindre une faible valeur du seuil et une faible perte.</P> |
