Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum gleichmässigen chemischen Ablösen von Schichten von Resist in Form leicht filtrierbarer Teilchen von plattenförmigen Galvanisiergutoberflächen beschrieben. Bevorzugte Anwendung findet das Verfahren in horizontalen Durchlaufanlagen der Leiterplattentechnik. Nach dem Stand der Technik werden Sprüh- und Spritzprozesse zum Resiststrippen eingesetzt. Nachteilig ist unter anderem die kurze Standzeit des Bades wegen des infolge der Auflösung nicht vollständig aus der Lösung herausfilterbaren Resists. Nach der Erfindung wird der Resist mit nur mässig fliessenden Behandlungsflüssigkeiten von den Leiterplattenoberflächen abgelöst. In der ersten Prozessstufe wird mit langgestreckten Schwalldüsen eine grosse Menge Behandlungsflüssigkeit zum Quellen an die Oberfläche n der Leiterplatten geschwallt. In der zweiten Stufe werden zum Filmablösen bevorzugt Schwalldüsen, die Druck- und Saugbereiche aufweisen, verwendet. Die Nachbehandlung wird geflutet durchgeführt mit Unterstützung durch intensive Strömungen. Mit einer mehrstufigen Kaskadenspülung arbeitet das Verfahren abwasserfrei und mit einer langen Standzeit des Ablösemittels. Der von den Oberflächen abgelöste Resist wird auf kurzem Wege schnell einem Feststoffilter zugeführt und noch vor dem Auflösen vom Lösungsmittel getrennt. Der Film wird nahezu vollständig und fast trocken herausgefiltert.
申请公布号
WO9708589(A1)
申请公布日期
1997.03.06
申请号
WO1996EP03662
申请日期
1996.08.21
申请人
ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH;BARON, DAVID, T.;SCHNEIDER, REINHARD