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发明名称 Dünnschicht-Siliciumhalbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要
申请公布号 DE3855765(D1) 申请公布日期 1997.03.06
申请号 DE19883855765 申请日期 1988.07.25
申请人 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 SERIKAWA, TADASHI, HIGASHIMURAYAMA-SHI TOKYO, JP;SHIRAI, SEIICHI, HIGASHIMURAYAMA-SHI TOKYO, JP;OKAMOTO, AKIO, HIGASHIYAMATO-SHI TOKYO, JP;SUYAMA, SHIROU, IRUMA-SHI SAITAMA, JP
分类号 H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/321;H01L21/324;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/04;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/263;H01L21/268 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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