Integrierte Struktur eines bipolaren Leistungstransistors und eines Wiederspannungsbipolartransistors in Emittorschaltungs- oder Halbbrückenanordnung und dies bezügliche Herstellungsverfahren,申请号DE19916022598T-传众专利搜索

发明名称	Integrierte Struktur eines bipolaren Leistungstransistors und eines Wiederspannungsbipolartransistors in Emittorschaltungs- oder Halbbrückenanordnung und dies bezügliche Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号	DE69122598(T2)	申请公布日期	1997.03.06
申请号	DE19916022598T	申请日期	1991.12.18
申请人	SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT;CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO, CATANIA, IT	发明人	PUZZOLO, SANTO, I-95127 CATANIA, IT;ZAMBRANO, RAFFAELE, I-95037 SAN GIOVANNI LA PUNTA, IT;PAPARO, MARIO, I-95037 SAN GIOVANNI LA PUNTA, IT
分类号	H01L21/8249;H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/73;H01L29/732;(IPC1-7):H01L27/082;H01L21/82	主分类号	H01L21/8249
代理机构		代理人
主权项
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