Method of forming an oxide liner and active area mask for selective epitaxial growth in an isolation trench,申请号EP19900304319-传众专利搜索

发明名称	Method of forming an oxide liner and active area mask for selective epitaxial growth in an isolation trench
摘要
申请公布号	EP0395330(B1)	申请公布日期	1997.03.05
申请号	EP19900304319	申请日期	1990.04.23
申请人	MOTOROLA, INC.	发明人	ROBINSON, FREDERICK J.
分类号	H01L21/76;H01L21/74;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/76	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
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