| 发明名称 | 半导体器件的制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法包括：制备半导体衬底(1)，它有一表面，该表面上有温度彼此不同的局部区；在半导体衬底(1)的表面上生长III-V族化合物半导体层，以使半导体层的局部区有彼此不同的成分。因此能以高精度控制局部区中半导体层的成分。而且，由于生长后的半导体层表面变平坦，能使生长半导体层之后的半导体器件的制造方法成为稳定的方法。进而由于能对各局部区独立地控制有源层的成分，从而能大大地增加设计半导体器件的自由度。 | ||
| 申请公布号 | CN1144396A | 申请公布日期 | 1997.03.05 |
| 申请号 | CN96107789.1 | 申请日期 | 1996.05.30 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 元田隆;加藤学 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/70;H01L33/00;H01S3/085;H01S3/103;G02B6/12 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法(图1(a)～1(e))，包括：制备半导体衬底1，它有具有温度互不相同的局部区的表面；在所说的半导体衬底1的表面上生长III-V族化合物半导体层，使所说的半导体层的所说的局部区有彼此不同的成分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||