| 发明名称 |
PROCESS FOR FORMING ISOLATION REGIONS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0354226(B1) |
申请公布日期 |
1997.03.05 |
| 申请号 |
EP19890900507 |
申请日期 |
1988.11.18 |
| 申请人 |
NCR INTERNATIONAL, INC.;HYUNDAI ELECTRONICS AMERICA;SYMBIOS LOGIC INC. |
发明人 |
LEE, STEVEN, SHAO-LUN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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