发明名称 | 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件 | ||
摘要 | 通过独特的等离子淀积工艺,生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺,可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。 | ||
申请公布号 | CN1144573A | 申请公布日期 | 1997.03.05 |
申请号 | CN95192288.2 | 申请日期 | 1995.03.09 |
申请人 | 阿莫科/恩龙太阳公司 | 发明人 | 李耀民;默里S·贝内特;杨立友 |
分类号 | H01L31/06;H01L31/0376;H01L31/20 | 主分类号 | H01L31/06 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
主权项 | 1.一种方法,其特征在于包括:通过利用低温、高压等离子增强化学汽相淀积至少制造所说非晶硅的一部分,提高含非晶硅器件的稳定性;所说温度基本上低于250℃,且基本上高于80℃;及所说压力至少为0.5torr。 | ||
地址 | 美国马里兰州 |