发明名称 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件
摘要 通过独特的等离子淀积工艺,生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺,可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。
申请公布号 CN1144573A 申请公布日期 1997.03.05
申请号 CN95192288.2 申请日期 1995.03.09
申请人 阿莫科/恩龙太阳公司 发明人 李耀民;默里S·贝内特;杨立友
分类号 H01L31/06;H01L31/0376;H01L31/20 主分类号 H01L31/06
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 余朦
主权项 1.一种方法,其特征在于包括:通过利用低温、高压等离子增强化学汽相淀积至少制造所说非晶硅的一部分,提高含非晶硅器件的稳定性;所说温度基本上低于250℃,且基本上高于80℃;及所说压力至少为0.5torr。
地址 美国马里兰州