化学机械研磨的清洁方法

摘要

一种化学机械研磨的清洁方法，其系用以对于经化学机械研磨的晶圆进行清洁，包括下列步骤：(i)将经化学机械研磨的晶圆负载传送至第一对刷子处，同时在两个刷子处均注入APM溶液，藉以利用刷子配合APM溶液，同时对晶圆的正面及背面加以清洗；及(ii)接着将晶圆传送至第二对刷子处，配合去离子水同时对晶圆的正面及背面加以清洗。如此可以同时使晶圆正反两面均有良好的清洁效果，藉以使得晶圆在后续进行蚀刻时，静电夹盘可以紧密而固定地吸住晶圆，确保后续制程的顺利进行。运用此种化学机械研磨的清洁方法至少可达成下列功效：(1)可减少经化学机械研磨后，残留在晶圆背面的粒子数目；(2)可改善蚀刻机中之静电夹盘固定晶圆的能力；(3)可以增长蚀刻机中之下方电极的寿命。

主权项

1. 一种化学机械研磨的清洁方法,用以对于经化学机械研磨的晶圆进行清洁,包括下列步骤:() 将经化学机械研磨的晶圆负载传送至第一对刷子处,同时在两个刷子处均注入APM溶液,藉以利用刷子配合APM溶液,同时对晶圆的正面及背面加以清洗;及() 接着将晶圆传送至第二对刷子处,配合去离子水同时对晶圆的正面及背面加以清洗。2. 如申请专利范围第1项的化学机械研磨的清洁方法,更包括下列步骤:在晶圆经去离子水清洗后,旋转晶圆以甩去水分。3. 如申请专利范围第1项的化学机械研磨的清洁方法,其中,前述APM溶液系包括氨水、双氧水及水。4. 一种化学机械研磨的清洁方法,用以对于经化学机械研磨的晶圆进行清洁,其系利用刷子分别配合APM溶液及去离子水清洗晶圆,且其特征在于:APM溶液除了用以清洗晶圆正面,同时亦对其背面加以清洗。5. 如申请专利范围第4项的化学机械研磨的清洁方法,其中,前述APM溶液系包括氨水、双氧水及水。6. 如申请专利范围第3项或第5项的化学机械研磨的清洁方法,其中,前述氨水、双氧水及水的混合比例为1:1:5。图示简单说明:第1图系绘示习知技艺中用以对经化学机械研磨的晶圆进行清洁的装置之示意图;及第2图系绘示本发明中用以对经化学机械研磨的晶圆进行