| 主权项 |
1. 一块具有一活性层的薄膜电晶体基体,包含:一层以低沈积速率沈积,而与一闸极绝缘层作连接的细密型非晶体式矽晶层;以及一层以比该细密型非晶体式矽晶层为高之沈积速率而沈积的粗糙型非晶体式矽晶体。2. 一块具有在申请专利范围第1项中所定义之活性层的薄膜电晶体基体,其中该细密型非晶体式矽晶层的光和暗传导灵敏度为10@su6,以及该粗糙型非晶体式矽晶层的光和暗传导灵敏度为10@su4-10@su5。3. 一块具有在申请专利范围第1项中所定义之活性层的薄膜电晶体基体,其中以低沈积速率而被沈积之该非晶体式矽晶层的厚度为500埃。4. 一块具有在申请专利范围第1项中所定义之活性层的薄膜电晶体基体,其中以高沈积速率而被沈积之该非晶体式矽晶层的厚度为1000-1500埃。5. 一块具有在申请专利范围第1项中所定义之活性层的薄膜电晶体基体,其中该非晶体式矽晶层利用化学汽相沈积法,而被沈积而成。6. 一块具有在申请专利范围第3项中所定义之活性层的薄膜电晶体基体,其中该低沈积速率为70-500埃/每分钟。7. 一块具有在申请专利范围第4项中所定义之活性层的薄膜电晶体基体,其中该高沈积速率为500-1000埃/每分钟。8. 一个用来提供具有一活性层的薄膜电晶体基体的方法,包括诸项步骤:把以低沈积速率而被沈积之细密型非晶体式矽晶层,沈积到该闸极氮薄膜介面之上;而且把比该细密型非晶体式矽晶层为高之沈积速率而被沈积的粗糙型非晶体式矽晶层,沈积到该细密型非晶体式矽晶层之上。9. 一块具有一顶端闸极型活性层的薄膜电晶体基体,包括:一层在该基座之上形成的轻度截止型薄膜;一层在其之上形成的绝缘层;以一段间距在该绝缘层上,被沈积而成的一层源电极和一层汲电极;二层在该源和汲电极上,被沈积而成的欧姆性接触层;一层以高沈积速率而形成之粗糙型非晶体式矽晶层,范围从覆盖该源电极之欧姆性接触层的一部分,到覆盖该汲电极之另一个欧姆性接触层的一部分。一层以低沈积速率,而在该粗糙型非晶体式矽晶层上形成的细密型非晶体式矽晶层;一层在该细密型非晶体式矽晶层上所形成的闸极绝缘层;以及一层在该薄膜电晶体(TFT)基座顶端上所形成的闸电极。图示简单说明:第1图是一个习知技术之薄膜电晶体基座的横截面图;第2图是一个习知技术之薄膜电晶体基座三晶层的大刻度图形;第3图是一个类似第2图的图形,但是其构造却是把该非晶体式矽晶层分成二层连续的沈积副层,根据本发明的较佳实施例,采用不同的技术而被沈积而成;以及第4图是一个说明等离子化学长晶法之实施例的方块图,该方法是根据本发明的一个较佳实施例,利用一种为了薄膜电晶体基座而作为双层非晶体式矽晶层的化学汽相沈积法;以及第5图是一个根据本发明较佳实施例的顶端闸极型薄膜电 |
