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发明名称 Dotierungsverfahren für Halbleiterbauelemente
摘要
申请公布号 DE69029687(D1) 申请公布日期 1997.02.27
申请号 DE1990629687 申请日期 1990.06.20
申请人 AT & T CORP., NEW YORK, N.Y., US 发明人 KOPF, ROSE F., BOUND BROOK, NEW JERSEY 08805, US;KUO, J-M., EDISON, NEW JERSEY 08817, US;LUFTMAN, HENRY STEVEN, FANWOOD, NEW JERSEY 07023, US;SCHUBERT, ERDMANN FRED., NEW PROVIDENCE, NEW JERSEY 07974, US
分类号 H01L29/73;H01L21/203;H01L21/208;H01L21/22;H01L21/331;H01L21/338;H01L21/38;H01L29/205;H01L29/737;H01L29/812;H01L33/00;H01S5/00;H01S5/026;(IPC1-7):H01L21/225;H01L21/20;H01L21/74 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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