首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Hochstabile statische Speichereinrichtung mit Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren
摘要
申请公布号 DE69216728(D1) 申请公布日期 1997.02.27
申请号 DE1992616728 申请日期 1992.09.11
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 ANDO, MANABU, MINATO-KU, TOKYO, JP;FURUTA, HIROSHI, MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L27/11;(IPC1-7):H01L27/11;G11C11/412 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com