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<p>Un dispositif de mémoire rémanente à architecture NON-ET à niveaux multiples lit et programme des cellules de mémoire, chaque cellule stockant plus de un bit de données, par comparaison à un niveau de courant constant tout en réglant sélectivement la tension aux portes sur la cellule ou les cellules lues ou programmées. Une pluralité de cellules de référence de lecture et d'écriture sont chacune programmées pour correspondre à chaque niveau de programmation à niveaux multiples. Pendant la lecture des cellules de mémoire, les cellules de référence de lecture fournissent le niveau de courant constant et pendant l'écriture dans les cellules de mémoire, les cellules de référence d'écriture fournissent ledit niveau. De plus, pendant une opération de lecture, des cellules de référence d'écriture correspondantes sont couplées à des cellules de référence de lecture pour étalonner le temps de lecture associé à la lecture des cellules de mémoire.</p> |
