| 发明名称 |
GAAS SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0955516(A) |
申请公布日期 |
1997.02.25 |
| 申请号 |
JP19950208787 |
申请日期 |
1995.08.16 |
| 申请人 |
OKI ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
MORI MIKIO;KAKINUMA HIROAKI;AKIYAMA MASAHIRO;UEDA TAKASHI |
| 分类号 |
H01L29/41;H01L21/338;H01L29/47;H01L29/812;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/41 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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