发明名称 PTC元件及其制法
摘要 目的:提供一种PTC元件及其制法,该元件在20℃显示极低的电阻系数,高峰时电阻系数加大,而在狭窄温度范围内电阻系数急速上升。构成:此PTC元件是在结晶性聚烯烃母质与导电性填料构成的导电性片材两面,设有金属箔电极,20℃时的电阻系数ρ
申请公布号 TW298653 申请公布日期 1997.02.21
申请号 TW085101352 申请日期 1996.02.03
申请人 尤尼吉可股份有限公司 发明人 伊藤显;岩屋嘉昭;浅见圭一;越后良彰;丸弘
分类号 H01C7/02 主分类号 H01C7/02
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种PTC元件,在结晶性聚性烃母质和导电性填料构成的导电性片材两面,设有金属箔的电极,其特征为,在20℃的电阻系数 20在1.8cm以下,高峰时的电阻系数@ssP在2.010@su6cm以上,电阻系数为20℃电阻系数20的10@su6倍之温度T@ssa(℃),与电阻系数为20℃时电阻系数20的10倍之温度T@ssb(℃),相差[T@ssa(℃)-T@ssb(℃)]在10℃以下者。2.如申请专利范围第1项之PTC元件,其中结晶性聚性烃为聚乙烯者。3.如申请专利范围第1项之PTC元件,其中导电性填料为粒径1至50(之粒状淡色碳黑者。4.如申请专利范围第1项之PTC元件,其中电阻系数为20℃电阻系数20的10@su6倍之温度Ta(℃),与电阻系数为20℃时电阻系数 20的10倍之温度T@ssb(℃),相差[T@ssa(℃)-T@ssb(℃)]为8℃至1℃者。5.一种PTC元件之制法,其特征为,将结晶性聚性烃与导电性填料混合,将混合物成形,形成导电性片材,于所得导电性片材两面热压金属箔,然后,加热到结晶性聚性烃融点负5℃以上的温度,再冷却到融点负5℃以下之温度,重复实施加热—冷却处理者。6.如申请专利范围第5项之PTC元件之制法,其中结晶性聚性烃为聚乙烯者。7.如申请专利范围第6项之PTC元件之制法,其中聚乙烯具有0.01至15熔体流动指数者。8.如申请专利范围第5项之PTC元件之制法,其中导电性填
地址 日本
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