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发明名称 Dünnschicht-Transistor und seine Herstellung
摘要
申请公布号 DE69028669(T2) 申请公布日期 1997.02.20
申请号 DE19906028669T 申请日期 1990.07.30
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 KOIZUMI, TORU, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, OHTA-KU, TOKYO, JP;NAKAYAMA, JUN, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA, OHTA-KU, TOKYO, JP;MIZUTANI, HIDEMASA, C/O CANON KABUSHIKI KAISH, OHTA-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L27/12;G02F1/136;G02F1/1368;H01L21/265;H01L21/336;H01L27/146;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/772 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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